UC知道[求助]关于读写ds18b20时序的两个问题
来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/06/02 00:31:26
看了很多18b20的资料，越看越糊涂啦！请高手指点哦：
问题一（资料上以下两种不同的说法，描述的竟然相反，哪个才是对的啊？）：
说法一：DS18B20的读时序
“对于DS18B20的读时序分为读0时序和读1时序两个过程。
对于DS18B20的读时隙是从主机把单总线拉低之后，在15微秒之内就得释放单总线，以让DS18B20把数据传输到单总线上。DS18B20在完成一个读时序过程，至少需要60us才能完成。”
说法二：DS18B20的读时序
“主机总线t0时刻从高拉至低电平时，总线只需保持低电平1us，之后在t1时刻将总线拉高，产生读时间隙，读时间隙在t1时刻后t2时刻前有效。t2距t0为15us，也就是说，t2时刻前主机必须完成读位，并在t0后的60us至120us内释放总线。”
以上两个说法完全矛盾呀！按照说法一，主机把单总线拉低时刻开始算，需要延迟15微秒之后才能读位；按照说法二，主机把单总线拉低时刻开始算，必须要在15us之内完成读位！
这两种说法必然有一种是错的啊，可是，哪一个说法才是对的呀？
问题二：
ds18b20的写1时序与读（0或1）时序完全相同，是不是在读取ds18b20一位的同时，无意中就向18b20写进去一个1了啊？
问题一（资料上以下两种不同的说法，描述的竟然相反，哪个才是对的啊？）：
说法一：DS18B20的读时序
“对于DS18B20的读时序分为读0时序和读1时序两个过程。
对于DS18B20的读时隙是从主机把单总线拉低之后，在15微秒之内就得释放单总线，以让DS18B20把数据传输到单总线上。DS18B20在完成一个读时序过程，至少需要60us才能完成。”
说法二：DS18B20的读时序
“主机总线t0时刻从高拉至低电平时，总线只需保持低电平1us，之后在t1时刻将总线拉高，产生读时间隙，读时间隙在t1时刻后t2时刻前有效。t2距t0为15us，也就是说，t2时刻前主机必须完成读位，并在t0后的60us至120us内释放总线。”
以上两个说法完全矛盾呀！按照说法一，主机把单总线拉低时刻开始算，需要延迟15微秒之后才能读位；按照说法二，主机把单总线拉低时刻开始算，必须要在15us之内完成读位！
这两种说法必然有一种是错的啊，可是，哪一个说法才是对的呀？
问题二：
ds18b20的写1时序与读（0或1）时序完全相同，是不是在读取ds18b20一位的同时，无意中就向18b20写进去一个1了啊？
根据DS18B20的通讯协议，主机控制DS18B20完成温度转换必须经过三个步骤：每一次读写之前都要对DS18B20进行复位，复位成功后发送一条ROM指令，最后发送RAM指令，这样才能对DS18B20进行预定的操作。复位要求主CPU将数据线下拉500微秒，然后释放，DS18B20收到信号后等待16～60微秒左右，后发出60～240微秒的存在低脉冲，主CPU收到此信号表示复位成功。